Activate to precharge delay tras что это?

Разновидности таймингов оперативной памяти

Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как оперативная память, то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра? Попытаемся разобраться в данном вопросе.

Что представляют собой тайминги ОЗУ

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги.

Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины.

Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Разновидности таймингов

К числу основных относятся:

• CAS Latency (CL) – Латентность CAS.
• RAS to CAS Delay (TRCD) – Задержка RAS to CAS
• RAS Precharge (TRP) – Время зарядки RAS

Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS — Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).

Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (TRCD)

Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.

RAS Precharge Time (TRP)

Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.

Row Active Time

Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.

Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.

Настройка таймингов средствами BIOS

В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти.

Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности.

Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.

Пример окна настройки таймингов BIOS

Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.

Заключение

Тайминги представляют собой числовые параметры, отражающие задержки выполнения операций в микросхеме памяти, обусловленные спецификой работы модулей ОЗУ. Они относятся к числу важных характеристик оперативной памяти, от которых во многом зависит производительность ОЗУ.

При выборе модулей памяти следует руководствоваться следующим правилом – чем меньше будет значение таймингов для памяти, работающей по одной и той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем  лучше будут скоростные параметры модуля. Номинальные значения таймингов для любых модулей ОЗУ определяются производителем модулей и хранятся в чипе SPD.

Тем не менее, в ряде случаев пользователи могут менять значение стандартных таймингов при помощи средств BIOS.

Источник: https://biosgid.ru/osnovy-ustrojstva-pk/tajmingi-operativnoy-pamyati.html

Словарь терминов: Оперативная память

Тип оперативной памяти, который определяет главные характеристики памяти и внутреннюю структуру. Сегодня выпускается пять главных типа оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ.

Плюсы по сравнению с памятью более старших поколений: синхронизация с системным генератором, это дает возможность контроллеру памяти знать конкретное время готовности данных, с помощью этого новшества временные задержки в процессе циклов ожидания снижаются из-за того, что данные свободны для доступна во время каждого такта таймера. Раньше SDRAM активно применялась в компьютерах, однако в настоящее время почти полностью вытеснена DDR и DDR2.

DDR SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ и характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации. Плюсы DDR SDRAM перед SDRAM: за один такт системного генератора возможно проведение двух операций с информацией, что увеличивает в два раза пиковую пропускную способность при работе на одинаковой частоте. DDR2 SDRAM — следующее за DDR поколение памяти. Принцип работы подобен тому, что применяется в DDR.

Отличие: имеется возможность выборки за один такт 4-х бит данных (для DDR производится 2-х битная выборка), увеличена рабочая частота, снижено энергопотребление модулей памяти, снижено тепловыделение. DDR3 SDRAM – следующее DDR2 SDRAM поколение памяти, применяется та же технология «удвоения частоты». Главное отличие от DDR2: возможность работать на большей частоте. Модули DDR3 имеют в наличии 240 контактных площадок, однако они несовместимы со старыми слотами, так как применяются другие ориентирующие прорези («ключи»).

RIMM (Rambus DRAM, RDRAM) – это разработанная фирмой Rambus синхронная динамическая память. Главные отличия от DDR-памяти: увеличение тактовой частоты путем снижения разрядности шины, одновременная передача при обращении к памяти номера столбца и строки ячейки. RDRAM стоит значительно дороже DDR, причем при аналогичной производительности, это привело к тому, что данный тип памяти почти полностью покинул рынок.

Определяясь с типом памяти, ориентируйтесь в первую очередь на возможности материнской платы вашего компьютера, а также на ее совместимость с разными модулями памяти.

Форм-фактор

Стандарт модуля оперативной памяти. Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Бывает несколько абсолютно несовместимых стандартов памяти: SIMM, DIMM, -DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM. SIMM — на модулях памяти этого стандарта зачастую располагаются 72 или 30 контактов, каждый из этих контактов оснащен выходом на две стороны платы памяти. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. DDR2 -DIMM — модули памяти этого стандарта применяются в серверах.

Механически они подобны модулям памяти DIMM 240-pin, однако совершенно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти Registered DDR2 DIMM и DDR2 DIMM. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в Tablet PC и ноутбуках. Чаще всего имеет 72, 144, 168, 200 контактов. MicroDIMM – один из вариантов DIMM для субноутбуков и ноутбуков. Габариты имеет меньше, чем SODIMM, характеризуется наличием 60 контактных площадок. RIMM — стандарт для модулей памяти типа RIMM (RDRAM), характеризуется наличием 184, 168 или 242 контактов.

Стандарт модуля оперативной памяти и стандарт, который поддерживает материнская плата, должны совпадать.

Объем одного модуля

от 0.03125 до 128 Гб

Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 512 Мб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит 2 Гб (2048 Мб) памяти системы.

Количество модулей

от 1 до 16

Число продающихся в наборе модулей памяти. Встречаются в продаже не только одиночные планки, но и комплекты, в комплекте может быть два модуля, четыре, шесть, восемь, все они имеют идентичные характеристики и подобранны для работы в двухканальном режиме (в паре). Применение такого двухканального режима позволяет добиться ощутимого увеличения пропускной способности, и, как следствие, увеличения скорости работы приложений.

Нужно сказать, что то, что вы купили два модуля одного производителя, имеющие одинаковые характеристики, вовсе не означает то, что они смогут работать в двухканальном режиме.

По этой причине, если материнская плата вашего компьютера способна поддерживать двухканальный режим работы памяти, то вам следует обратить свое внимание на комплекты, состоящие из нескольких модулей, если для вас, конечно, важна высокая скорость работы графических и игровых приложений.

Количество контактов

от 144 до 288

Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).

Количество рангов

от 1 до 8

Число областей памяти (рангов) модуля оперативной памяти. рангов называют область памяти, которая образована несколькими чипами или всеми чипами модуля памяти и имеет ширину, равную 64 бита. Модуль оперативной памяти, в зависимости от конструкции, может иметь один, два или четыре ранка.

Выпускаемые сегодня серверные материнские платы характеризуются наличием ограничения на общее количество рангов памяти, к примеру, если может быть установлено максимально восемь рангов и уже установлено четыре двухранговых модуля, то установить дополнительные модули в свободные слоты уже не получится, т.к. их установка вызовет превышение лимита.

Вот почему одноранговые модули стоят дороже, чем двух- и четырехранговые.

Тактовая частота

от 66 до 4800 МГц

Наименьшая частота системного генератора, по ней происходит синхронизация процессов приема и передачи информации. Для DDR, DDR2 и DDR3 памяти указывается удвоенное значение тактовой частоты (две операции с данными осуществляется за один такт). Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.

Пропускная способность

от 1600 до 38400 Мб/с

Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).

Поддержка ECC

Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.

Буферизованная (Registered)

Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти.

Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах.

Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.

Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.

Радиатор

Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.

Поддержка XMP

XMP (eXtreme Memory Profiles) – профиль содержащий данные о расширенных и нестандартных возможностях модуля оперативной памяти. По средствам BIOS компьютера на начальном периоде загрузки осуществляется переключение в режим разгона, без настраивания всех задержек работы вручную.

CL

от 2 до 22

CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.

tRCD

от 2 до 26

RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки.

tRP

от 2 до 26

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т.е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки.

tRAS

от 5 до 52

Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти.

Напряжение питания

от 1.2 до 3.3 В

Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение.

Производитель

Фирма-производитель установленных на модуле микросхем. Нередко фирмы-производители модулей памяти используют для выпуска своей продукции чипы стороннего производителя.

Количество

от 1 до 184

Число установленных на одном модуле памяти чипов. Находиться микросхемы могут с любой стороны и с обеих сторон платы.

Упаковка

Способ расположения на модуле памяти чипов. Выпускаются модули с односторонней и двусторонней упаковкой. Если на модуле микросхемы расположены с двух сторон, то модули имеют большую толщину, что препятствует их установке в некоторые системы.

Источник: https://komp.1k.by/utility-memory-terms/

Как узнать тайминги оперативной памяти

Если вы решили заняться разгоном оперативной памяти, то вам однозначно придется столкнуться с таким понятием, как тайминги. Если говорить простыми словами — то это задержка от отправки сигнала к оперативной памяти, до получения результата операции. Таких таймингов есть несколько, так как есть несколько операций работы с памятью.

От правильности установки таймингов зависит то, насколько быстро и стабильно будет работать оперативная память. С одной стороны, чем меньше тайминги (задержки) тем быстрее будет проходить обмен данными, но и стабильность работы памяти будет ниже. Также при повышении частоты тайминги тоже надо увеличивать, чтобы повысить стабильность. Но прежде чем что-либо менять, вам надо знать текущие значения параметров. В этой статье мы рассмотрим как посмотреть тайминги оперативной памяти с помощью различных утилит.

Что означают основные тайминги?

Вот основные операции с памятью, которые выполняет компьютер:

• Активация (Activate) — открывает ряд ячеек для работы. Для того чтобы провести чтение или запись в ячейку, необходимо сначала её активировать. После активации ячейка будет активна до получения команды освобождения.
• Освобождение (Precharge) — закрывает открытый ряд ячеек или несколько. Ячейки переводятся в состояние ожидания. Данные в них хранятся, но для получения к ним доступа, ячейку надо активировать.
• Read and Write — чтение или запись данных.
• Обновление (Refresh) — обновление заряда ячеек, без смены хранимых в них данных.

Все тайминги деляться на три категории: первичные, вторичные и третичные. Самые основные из них — это первичные. Обычно они и указываются на упаковке памяти памяти (например, 16-16-16-32 2T) и их же чаще всего настраивают в BIOS. Вот основные тайминги:

• CAS Latency (tCL/tCAS) — задержка между отправкой адреса ячейки и началом чтения данных из неё. Это количество циклов работы памяти, которые продут до получения первого бита данных из запрошенной ячейки. В отличие от других параметров, это не максимум, а точное число, которое должно быть синхронизировано для контроллера и памяти. Это самый важный параметр;
• RAS to CAS Delay (tRCD) — указывает количество циклов между открытием ряда ячеек памяти и моментом, когда можно будет получить к этим ячейкам доступ. Иногда обозначается отдельно для записи и для чтения. Время чтения данных из памяти если ячейки не были активированы ранее будет составлять tCAS + tRCD;
• Row Precharge Time (tRP) — минимальное количество циклов работы памяти, от закрытия ранее активированного ряда ячеек и открытием следующего. Если изначально был открыт неверный ряд, общее время чтения из памяти будет составлять tRP + tRCD + CL.
• Row Active Time (tRAS) — минимальное количество циклов работы памяти между активацией ряда ячеек и его закрытием. Это время, необходимое для смены ряда ячеек и оно пересекается с tRCD.
• Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD) — количество циклов межу активацией чипа памяти и выполнением команды. Для большей стабильности обычно используется значение 2T, однако часто можно встретить значение 1T.

К вторичным таймингам относятся tWR, tRFC, tRDD_L, tRDD_S, tWTR_L, tWTR_S, tRTP, tFAW, и tCWL однако они используются намного реже.

1. Ryzen Timing Checker

Если вы хотите узнать все текущие тайминги, включая не только основные, но и вторичные, вам поможет утилита Ryzen Timing Checker. Она отображает все тайминги в одном окне списком:

2. CPU-Z

Также вы можете узнать тайминги оперативной памяти компьютера, запустив утилиту CPU-Z. Здесь надо открыть вкладку SPD, а затем выбрать слот, в который установлена одна из планок памяти в разделе Memory slot selection:

Однако здесь отображается не текущая конфигурация, а данные, сохраненные в SPD профиле оперативной памяти. И здесь может быть несколько записей, обозначенных заголовком JEDEC. Joint Electron Device Engineering Council — это организация, которая создает и публикует стандарты для оперативной памяти DDR4, DDR5, SSD, ESD, GDDR6 и других видов памяти.

Производители оперативной памяти выпускают память, строго по стандартам JEDEC, однако могут дать модулям возможность работать на более высокой скорости. Поэтому появляется несколько вариантов профилей. Также есть профили XMP, которые уже используются для более серьезного разгона.

3. Aida64

Также можно узнать тайминги оперативной памяти AIDA64. Для этого откройте в левой панели пункт Системная плата -> SPD. Здесь вы аналогично CPU-Z найдете подробную информацию о профилях таймингов, записанных в SPD хранилище памяти, а также о доступных XMP профилях:

Однако здесь намного больше информации по каждому профилю, кроме того доступна информация по субтаймингах.

4. Thaiphoon Burner

Самая популярная программа для работы с оперативной памятью. Позволяет не только смотреть всю доступную информацию, но и выполнять прошивку планок памяти. После запуска программы необходимо нажать кнопку Read и выбрать одну из планок памяти:

Чтобы увидеть информацию о таймингах достаточно пролистать список параметров вниз:

Выводы

В этой небольшой статье мы рассмотрели как посмотреть тайминги оперативной памяти. Зная тайминги, заданные произвоидтелем, вы сможете более тонко настроить вашу память, а также потратите меньше времени на эксперименты для подбора подходящих значений.

, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник: https://te4h.ru/kak-uznat-tajmingi-operativnoj-pamyati

Command rate 1t или 2t что лучше

Юрий Белоусов · 26.09.2019

В настройках BIOS можно встретить такую опцию, как Command Rate (в некоторых модификациях BIOS — DRAM Command rate). Особенно на нее стоит обратить внимание пользователям, желающим ускорить работу своего ПК. В этой статье рассмотрим, что такое Command rate, а также какое значение для параметра Command Rate лучше — 1T или 2T.

Command Rate (CR) – что это такое и на что влияет

Command Rate (CR) – что это такое и на что влияет данный параметр?

Прежде всего нужно понять принцип работы. Операционная система взаимодействует с оперативной памятью не напрямую, а — через контроллер памяти – микросхему управляющую памятью. Она является посредником между ОЗУ и ОС. Все данные проходят через нее.

Операционная система при передаче данных контроллеру использует не физический, а виртуальный адрес, который необходимо преобразовать в физический. Данная операция потребляет некоторое количество ресурсов и занимает определенное время.

А опция Command Rate в BIOS позволяет задать интервал задержки – 1 или 2 такта (1T или 2T) для выполнения конвертации адресов (в UEFI значения Command Rate могут быть 1N, 2N, 3N).

Command Rate 1T или 2T – какое значение лучше выбрать?

Command Rate 1T или 2T – какое же значение лучше выбрать для достижения максимальной производительности?

Зная за что отвечает данный параметр, логическим решением будет установка значения – 1T, ведь чем меньше задержка, тем больше операций будет выполнено за единицу времени. Максимальная производительность ОЗУ и компьютера в целом будет именно при таком значении.

Но не все модули оперативной памяти и контроллеры памяти способны работать с минимальным значением задержки в 1 такт. В случае, если устройства не будут справляться со своей задачей по передаче данных с заданным интервалом, то данные могут быть потеряны, что в свою очередь приведет к нестабильной работе компьютера: могут возникнуть лаги и различного рода ошибки в операционной системе.

Конечно же, выяснить оптимальное значение можно и опытным путем. Достаточно просто поменять параметр Command Rate на 1T и проверить работоспособность системы. Если все работает и ошибок нет – то оставить данное значение. Если вдруг появятся ошибки или неисправности – установить интервал в 2 такта.

Также можно доверить компьютеру самостоятельно выбрать нужный интервал, задав параметру DRAM Command Rate значение «Auto», если таковое имеется, в результате чего значение будет взято из информации, запрограммированной в микросхему SPD.

Показатель эффективности данной настройки можно проверить с помощью программ анализаторов – Everest, CPU-Z и прочих.

Не нашли ответ? Тогда воспользуйтесь формой поиска:

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять.

Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно — изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

Источник: https://web-shpargalka.ru/command-rate-1t-ili-2t-chto-luchshe.php

Суть и назначение таймингов оперативной памяти

Здравствуйте, гости моего блога. Решил написать статью о том, что такое тайминги оперативной памяти, так как заметил, мало кто уделяет должное внимание этому параметру при выборе устройства. Хотя именно по нему определяется производительность ОЗУ при одинаковой тактовой частоте и других одинаковых  характеристиках.

Я уже писал на данную тему, но на этот раз хочу подробнее на ней остановиться, чтобы даже начинающие пользователи знали, что значат «непонятные» цифры, указанные на оперативке. Таким образом, начну с азов.

Принцип работы ОЗУ

Мне проще будет объяснить назначение таймингов, если вы сначала поймете, как функционирует оперативная память. Она имеет динамический характер, то есть нуждается в постоянной подаче электроэнергии. Поэтому при каждой перезагрузке компьютера вы теряете то, что было в кэше.

Микросхема включает в себя ячейки в виде конденсаторов. Они получают заряд при записи логической единицы и разряжаются при внесении нуля. Все ячейки структурированы по форме двухмерных матриц, а доступ к каждой открывается путем указания адреса определенной строки RAS (Row Access Strobe) и столбца CAS (Acess Strobe).

Их выбор делается при помощи стробирующего импульса, то есть изменения уровня напряжения от большого к малому. Синхронизированый с тактирующим импульсом сигнал для активации пускается поочередно: сначала на строку, а потом на столбец. Если производится запись, то дается еще один импульс допуска к ней — WE (Write Enable), работающий по тому же принципу. Далее вы поймете, зачем я всё это рассказывал.

 

Суть таймингов

Данные параметры показывают, сколько времени требуется оперативке для выполнения тех или иных операций со столбцами и строками, чтобы записать информацию в ячейку или прочитать из нее. Тайминги измеряются в тактах системной шины. Как вы понимаете, чем меньше эти значения, тем лучше.

Если вы рассматривали планку, то должны были заметить обозначения типа DDR3 1600 МГц 9-9-9-24. Последние указанные через дефис цифры показывают количество тактовых импульсов для 4-х таймингов. Самый важный из них — первый, поэтому может быть прописан на этикетке только он. Однако мы разберем поочередно все, чтобы вы понимали, на что они влияют.

CAS Latency

Первые 3 буквы расшифровываются как Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки). Это тот параметр, который указывается в начале. Он показывает тактовую задержку, требуемую модулю для выбора нужного столбца в строке памяти, чтобы прочитать определенную информацию.

Попробую упростить свое объяснение: CL — это время между получением команды на чтение и ее выполнением. Запрос на данную операцию поступает к ОЗУ от процессора, а к нему, в свою очередь, от вас.

Вот поэтому данный параметр и является самым важным — он показывает скорость работы оперативки.

RAS-CAS

С этими двумя аббревиатурами вы уже встречались, когда я описывать принцип действия модуля памяти. Сокращенно этот тайминг называется tRCD. Он показывает количество тактов от снятия импульса RAS (выбором нужной строки) к подаче сигнала CAS (нахождением столбца в строке). Иными словами, это отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды «Read» (чтение) или «Write» (запись).

RAS Precharge

Данный тайминг рассказывает о количестве тактов между сигналом на предварительную зарядку одной строки данных и получением доступа к следующей. Проще говоря, он показывает, сколько времени проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой (от команды «Precharge» до «Active»).

Row Active

Также вы можете встретить такое название как tRAS (time of Active to Precharge Delay). Этот параметр определяет задержку, в течение которой активна одна строка.

Узнаем число тактов своего модуля

Интересно, сколько таймингов имеет установленная в вашем компьютере оперативка? Вам не придется его разбирать, так как этикетка на планке — не единственный вариант, где можно посмотреть данные значения.

Я уже писал об этом в предыдущей статье, но повторюсь для тех, кто ее пропустил. Вам нужно скачать утилиту  CPU-Z. Когда запустите ее, перейдите на вкладку «Memory» и увидите все 4 тайминга и даже больше. Вообще, это полезная программа, поэтому не поленитесь ее установить.

Изменение таймингов

Если вы хотите разогнать оперативную память, наверняка задаетесь вопросом, можно ли изменить значения временных задержек? Можно.

Обычно они устанавливаются автоматически, когда вы подключаете модуль к материнской плате. Но зайдя в биос, есть возможность настроить их вручную. Для этого вам потребуется раздел «Advanced Chipset» и опция «DRAM Timings». Однако если вы не уверены в своих действиях, лучше оставьте вариант Auto, ибо могут случится неприятные последствия при неправильных настройках.

Возможно когда — нибудь напишу об этой теме более подробно.

моего блога, чтобы не пропускать самое интересное.

СчастлИво!

Источник: https://profi-user.ru/taymings-ozu/

What Are Memory Timings? CAS Latency, tRCD, tRP, & tRAS (Pt 1)

First, the basics. While memory frequency is measured in Hertz, or cycles per second, the unit for memory timings is just plain cycles. To convert clock cycles to a measurement of time requires knowing the frequency of the memory. This is listed in MHz, or units of 1,000,000Hz. 3200MHz memory has a clock frequency of 3,200,000,000 cycles per second, so the time for a cycle to complete should be (1/3,200,000,000) seconds.

However, modern memory is DDR (double data rate), meaning data is transferred on the rising and falling edge of each clock, so advertised frequencies are twice the real clock frequency. That’s why when you set memory to 3200MHz in BIOS, CPU-Z will show 1600MHz. Therefore the time is really (1/(3,200,000,000/2)) seconds. If our example memory has a CL timing of 16 clock cycles, this translates to (16 * (1/(3,200,000,000/2))) seconds, or .

00000001 seconds, or 10 nanoseconds.

The equation is (1/(advertised frequency/2)) * timing in cycles = timing in seconds. For a DDR3-1600 kit, a CL of 9 translates to 11.25ns, actually slower than our previous example. Latencies have gradually increased over the years with the physical distance that signals have to travel (the speed of light is a hard limit), but frequency has increased as well, and therefore performance has still improved. Frequency is very important, but it’s just one element of performance, as with CPUs.

There are many, many different timings, but they deal with a fairly small list of commands: when they can be issued, how long it takes for them to execute, how many cycles pass before a response. Here’s a table of DDR4 commands copied from Wikipedia:

The important signals from the top row are ACT (Activate), RAS (Row Access Strobe), CAS (Column Access Strobe), and WE (Write Enable). RAS and CAS are often referred to simply as column and row address because they aren’t actually strobes; the terminology is a holdover. These are Active-Low signals, so they can be either H(igh) or L(ow), 1 or 0.

Together they form a four-bit code that specifies a command to be executed. The signals have changed a bit over the years, but for the most part DDR4 has the same list of commands that SDRAM has always had, and therefore many of the same timings.

For this next section, we created a custom animation that can be found in our above-embedded video. That may assist in better understanding the below definitions.

Activate: opens a row of a bank. A row must be active for reading and writing data. If a row isn’t active it’s idle, and if a row is activated it stays that way until a precharge command.

Precharge: closes the open row in one or all banks (two separate commands), putting them into the idle state. Data is still stored in idle banks, but they must be activated again before reading or writing.

Read and Write: self explanatory. With these commands, an Auto Precharge flag can be set to automatically precharge the row when done.

ZQ calibration: compensates for temperature/voltage variation. It can be a recurring command, but not frequently enough to make the related timings important to us.

Refresh: refreshes the charge in memory cells by writing data back in place without changing it. DRAM is volatile memory, which means that it requires power to store data: bits are represented by charges on capacitors, which leak over time if they aren’t read or written to. We’ll discuss this more in the next article: look for tREFI and tRFC. All banks must be idle (precharged) before a refresh.

Timings are generally divided into three categories: Primary, Secondary, and Tertiary. Primary is the broadest, the rated settings are listed on the box (e.g. 16-16-16-32 2T), and they’re usually adjustable in BIOS. Secondary are non-primary timings that can optionally be set in SPD (see next section).

These include: tWR, tRFC, tRDD_L, tRDD_S, tWTR_L, tWTR_S, tRTP, tFAW, and tCWL. Their names and definitions will be covered in a future article.

Tertiary is the catch-all category for everything else, and it’s a deep rabbit hole—whether or not these settings are even exposed in the BIOS varies heavily with motherboard quality, and the values vary individual RAM, CPU, and motherboard. We’ll be covering these further in another article.

SPD and XMP Explained

That last paragraph requires some additional explanation. Every stick of RAM contains information baked into EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), including some safe timing/frequency profiles—these can be viewed in the SPD tab of CPU-Z under the JEDEC header.

The JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) Solid State Technology Association is an organization that publishes standards for DDR4, DDR5, SSDs, mobile memory, ESD, GDDR6, and more. They are responsible for standardizing and defining everything in this article, from abbreviations to the entire concept of DDR4. As part of this, JEDEC publishes tables of baseline timings for different RAM types, several of which are saved in SPD.

Memory manufacturers technically produce strictly JEDEC-defined varieties of RAM, DDR3 1600MHz 11-11-11-28, but can make them capable of higher speeds and market them as such. For example, Corsair sells 4600MHz memory, which as of this writing is a higher speed than JEDEC has defined for DDR4.

XMP is an SPD extension. XMP, or eXtreme Memory Profiles, are higher-performance specs jammed into the leftover space in the EEPROM. These are conceptually the same thing as the JEDEC profiles, but they’re optimized by the memory manufacturer. XMP contains settings that the memory manufacturer says will probably work, but may not be supported depending on the quality of the CPU IMC or SOC and other components. For enthusiast RAM, the advertised speeds are usually only attainable by applying XMP.

XMP is technically an Intel term and an Intel standard, but an “extreme memory profile” is literally just a list of numbers that can be read by any system (if the board allows it). For example, DOCP and EOCP on AMD boards are just generic names for XMP. “XMP Profile” is redundant, but just remember: nobody cares, including Intel, or they’d have abbreviated “extreme” correctly.

Neither SPD nor XMP contains every timing. According to a Kingston representative: “We tune the ‘Primary’ timings (CL,RCD,RP,RAS) only. Other timings are left alone at JEDEC’s recommendations, ly for the MRC.” In regards to some specific subtimings we asked about, “since they are not in the SPD (or XMP), we can’t change them even if we need to.” This lines-up with our experiences in the “Real World Impact” section of this article. Even if memory manufacturers wanted to go deeper, there is a specific and limited list of SPD entries.

If you’re reading these articles because you want to know whether to tune memory, the answer for most mainstream users is “no, definitely not.” We’ve done a lot of memory tuning for our #RIPLTT streams, and it can take a day (or more) to dial-in optimal timings — and even those might have occasional memory errors. Enabling XMP and calling it a day generally does a good enough job. Memory tuning is the domain of overclockers, hardware enthusiasts, and people with a lot of time on their hands, but it’s not worth it for users who just want something with low effort requirements. XMP will cover that camp.

What Is Memory Training & How to Train Memory?

So, when it comes down to it, RAM doesn’t set its own frequency and timings—the BIOS does, with SPD/XMP as a starting point. On Intel boards, this element of the BIOS is called the MRC.

This is one area where board manufacturers can secure an advantage in performance, because the sheer variety of RAM and the differences between Samsung, Micron, and Hynix chips make tertiary timings hideously complex to adjust.

Memory training can appear as a black art to casual overclockers, where RAM can be magically “broken in” by repeatedly forcing boot failures until an unstable OC becomes stable enough for benchmarks. What’s actually happening is that the IMC will try a variety of settings in an attempt to stabilize the system (not all of them timings). On the user end, it can feel trying to solve a jigsaw puzzle by shaking the box, but it works. This is an important point even for non-overclockers: if memory isn’t stable with XMP, allow the system to reboot a few times before giving up.

Real-World Impact of Lower Level Memory Timings

Источник: https://www.gamersnexus.net/guides/3333-memory-timings-defined-cas-latency-trcd-trp-tras

Что такое тайминги оперативной памяти и их влияние на скорость

Тайминги оперативной памяти — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют временные задержки в тактах шины памяти. Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью.

Как это работает и на что смотреть

Для того, чтобы получить необходимые данные из памяти, центральный процессор должен получить доступ к ячейке по определенному адресу. Оперативная память современного компьютера организована в виде страниц, то есть, фиксированных участков, размером от нескольких килобайт до нескольких мегабайт. Информация об адресах этих страниц содержится в таблицах.

Работает это так: сначала процессор делает запрос к нужной к таблице, затем к строке таблицы, и уже потом к нужному столбцу, где и получает доступ к странице с необходимыми ему данными. Память современных компьютеров исчисляется гигабайтами, а размер таблиц ограничен, поэтому используется многоуровневая структура, где таблицы группируются в специальные «каталоги».

Скорость выполнения всех этих запросов очень велика, но все-таки ограничена физическими возможностями конкретной архитектуры. Задержки возникают при выполнении практически любой операции: при обращении к столбцу или строке таблицы, при переключении между строками таблицы, между завершением одного запроса и подачей следующего и т.д. Эти задержки и называют таймингами.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL14, которая указывает на самый важный тайминг — латентность.

Порядок, в котором указываются тайминги в маркировке, стандартен:

1. Сначала идет латентность (CAS Latency или CL);
2. Затем RAS to CAS Delay (tRCD);
3. Следом RAS Precharge (tRP);
4. И четвертый — это Active to Precharge Delay (tRAS).

Рассмотрим более более подробно, на что влияют тайминги оперативной памяти:

• CAS Latency (CL) или латентность оперативной памяти — самый важный среди таймингов. Латентность — это задержка между моментом запроса со стороны процессора к памяти и получением этих данных.
• RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между обращением к столбцу матрицы адресов страниц оперативной памяти и обращением к строке этой же матрицы.
• RAS Precharge (tRP) — задержка между закрытием доступа к одной строке матрицы и открытием доступа к другой.
• Active to Precharge Delay (tRAS) — Задержка, необходимая на возвращение памяти к ожиданию следующего запроса.

Помимо этого, в маркировке модуля может присутствовать такой параметр, как Command Rate (CMD). Command Rate указывает на задержку, которая произойдет с момента активации памяти до того, когда можно будет выполнить первый запрос. Обычно он указывается следом за таймингами и может иметь значение T1 или T2, что соответствует 1 или 2 тактному циклу.

Чем каждый из параметров таймингов меньше, тем лучше.

Как узнать

Для того, чтобы узнать тайминги установленной в системе памяти, не обязательно вскрывать системный блок или корпус ноутбука. Эту задачу можно решить, просто установив соответствующую программу. Из всего многообразия приложений можно отметить такие как:

• CPU-Z — бесплатная утилита, способная выдать подробную информацию о платформе компьютера и в частности оперативной памяти.
• AIDA64 — выдает информацию о конфигурации компьютера и позволяет протестировать производительность отдельных подсистем. Программа платная, но у нее есть пробный период.
• SiSoftware Sandra — еще одна программа для получения информации о конфигурации компьютера, версия Lite бесплатна.

Возможностей этих приложений более чем достаточно, чтобы узнать тайминги ОЗУ, а так же много другой информации об установленном «железе».

Использование программ, пожалуй, единственный способ получить ответ на вопрос: как узнать тайминги оперативной памяти на ноутбуке, в котором модули распаяны на системной плате или не имеют маркировки, что встречается очень часто.

Кроме того, на многих материнских платах и ноутбуках можно зайти в BIOS и найти, где посмотреть тайминги оперативной памяти. Навигация по BIOS, названия разделов и даже обозначения таймингов у разных производителей могут несколько отличаться, если не понятно, где искать, стоит обратиться к документации.

На что влияют

Сразу стоит отметить, что нельзя сравнивать напрямую тайминги у модулей памяти, работающих на разных частотах, не говоря уже о разных типах ОЗУ.

Например, есть два модуля памяти стандарта DDR3, один работает на частоте 1333 МГц и имеет задержки 9-9-9-24, другой имеет частоту 2133 МГц и тайминги 11-11-11-31. Казалось бы, задержки меньше у первого, но на практике второй будет быстрее за счет более высокой частоты. Таким образом, сравнение таймингов стоит делать только для модулей, работающих на одинаковой частоте.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и одинаковые тайминги.

Как изменить

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа: как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами, они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме. К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности.

В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в BIOS. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Все изменения таймингов необходимо производить не торопясь, имеет смысл менять по одному параметру и только на такт. После этого важно проверить, сможет ли компьютер стартовать и загрузить операционную систему.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения. Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Источник: https://ramozy.ru/obschee/taymingi-operativnoy-pamyati

Тайминги оперативной памяти и почему они так важны

Оперативная память — один из основных компонентов компьютера, но мы не говорим о ней слишком часто. Если модули памяти не оснащены большими радиаторами и RGB подсветкой, то и внимания им уделяется мало. Процессор задет уровень производительности, который необходимо учитывать при подборе остальных комплектующих, но вы можете выжать немного больше производительности, если будете использовать более быструю память. Частота, как и тайминги или другими словами задержка, определяют скорость работы ОЗУ.

Характеристики оперативной памяти

Параметры работы ОЗУ можно найти на упаковке от модулей или используя различное ПО, например, CPU-Z, а также можно просто зайти в BIOS/UEFI. Полное наименование ваших модулей будет чем-то вроде этого:

DDR4 3200 (PC4 25600)

Здесь, DDR4 указывает на поколение памяти. Цифра после букв PC (2, 3 или 4), описывает тоже самое.

Зачастую первое четырехзначное число, в нашем примере это 3200, указывается как частота памяти. На самом деле это небольшой маркетинговый трюк, который, впрочем, не так ужасен, хоть и поддерживается производителями ПК и розничными сетями. Это число на самом деле отражает эффективную (удвоенную) скорость, измеряемую в миллионах передач в секунду.

У памяти DDR, реальная (фактическая) частота равна половине эффективной скорости передачи — 1600 МГц для нашего примера. Хотя, даже этот показатель выше внутренней частоты памяти, которая составляет всего 400 МГц. Однако, из-за того, что при использовании DDR памяти считывание команд и данных происходит дважды за один тактовый сигнал, можно сказать, что эффективная тактовая частота памяти вдвое больше реальной. Таким образом можно сказать, что эффективная скорость передачи данных в миллионах передач в секунду, совпадает с эффективной частотой памяти.

Число после букв PC, в нашем примере это 25600, показывает пиковую скорость передачи данных в мегабайтах в секунду. Умножив скорость передачи данных (в миллионах передач в секунду) на ширину шины ввода-вывода (64-бита во всех современных материнских платах), мы можем определить максимально возможную скорость передачи:

3200 миллионов передач в секунду * 64 бита за одну передачу / 8 бит для перевода в байты = 25600 Мб/с.

Каждое число сообщает, насколько быстра ваша память, однако они оба предоставляют одинаковую информацию просто в разных формах.

Что такое тайминги ОЗУ?

Тайминги — это еще один способ измерения скорости памяти. Они отражают задержку между различными операциями памяти. Ее можно рассматривать как «время ожидания».

Тайминги ОЗУ измеряются в тактовых импульсах и указываются в виде четырех чисел, разделенных дефисом, например 16-18-18-38. Чем меньше числа — тем быстрее память. Числа всегда расположены в строго определенном порядке и отображают различные характеристики.

Первое число: CAS Latency (CL)

CL определяет время, которое требуется памяти, чтобы выдать ЦПУ запрашиваемые данные — это время между получением команды и ее выполнением. Однако значение CL не стоит рассматривать отдельно от остальных характеристик. Следующая формула, учитывающая количество передач в секунду, позволяет перевести CL тайминг из циклов в наносекунды:

t = (CL/кол-во миллионов передач в секунду)*2000

Для нашего примера задержка CL составляет 10 нс — (16/3200)*2000 = 10.

В результате, более медленная память (с меньшей тактовой частотой) может иметь более короткую задержку, если тайминг CL будет меньше.

Второе число: RAS to CAS Delay (tRCD)

Модули ОЗУ используют строки и столбцы для получения доступа к памяти. Пересечение строк и столбцов указывает на конкретный адрес памяти (ячейку). Сначала активируется необходимая строка, а затем столбец. Тайминг tRCD определяет минимальную задержку между выбором строки (команда Active) и переходом к колонке для чтения или записи.

Третье число: RAS Precharge (tRP)

Тайминг tRP определяет задержку, необходимую для перехода к новой строке. После получения данных необходимо послать команду Precharge, для того чтобы закрыть строку из которой считывались данные и разрешить активацию новой. Технически, tRP отражает задержку между запуском команды Precharge и моментом, когда память сможет принять следующую команду Active. Зачастую он идентичен второму таймингу tRCD, потому что одни и те же факторы влияют на задержку обеих операций.

Четвертое число: Cycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay

Тайминг tRAS отражает минимальное количество циклов, в течение которого строка должна оставаться открытой для правильной записи данных. Технически, он определяет задержку между получением команды Active и посылом команды Precharge или, иными словами минимальное время между открытием и закрытием строки.